在很多，隋況下，MOS晶體管的源極與基底是等電位的。其結(jié)果，使圖1.31中基底（襯底或者阱）與溝道間的pn結(jié)處于零偏置。當(dāng)源極—基底間加反向（或者正向）偏置電壓VSB時(shí)，MOS晶體管的閾值電壓就會(huì)發(fā)作變化。
如今討論圖1. 32示出的n溝MOS晶體管加偏置電壓(VSB>O)時(shí)的狀況。
反向偏置電壓VSB會(huì)使溝道下的耗盡層擴(kuò)展。由于耗盡層的擴(kuò)展，耗盡層的負(fù)電離子數(shù)增加，而溝道區(qū)的電子數(shù)目相應(yīng)地減少，使得與多晶硅柵中的正電荷堅(jiān)持均衡。由于溝道區(qū)電子數(shù)目的減少，招致溝道的厚度變薄。
為了使溝道恢復(fù)到原來(lái)的厚度，必需加更大的柵極—源極間電壓YGS。其結(jié)果，這個(gè)反向偏置電壓Vs。招致了閾值電壓的上升。
這種由于源極—基底間電壓VSB招致閾值電壓發(fā)作變化的現(xiàn)象，稱(chēng)為襯底偏置效應(yīng)(body effect)或者背柵效應(yīng)(back-gate effect)。
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